Эффекты взаимодействия примесных электрических диполей с мягкими поперечными оптическими фононами

Показано, что критические эффекты благодаря косвенному электрическому диполь-дипольному взаимодействию через мягкие поперечные оптические фононы обязаны лишь взаимодействию с однородной поляризацией, а поперечные оптические фононы с ${{\mathbf k}\ne0}$ не взаимодействуют с примесными электрическими диполями. Получены критерии индуцированного примесными диполями сегнетоэлектрического фазового перехода и фазы дипольного стекла, которые определяются соотношением среднего поля диполей, связанным с мягкими поперечными оптическими фононами при ${{\mathbf k}=0}$, и его флуктуациями благодаря некритическим взаимодействиям. В результате реализация фазы дипольного стекла в сильнополяризуемых матрицах требует выполнения достаточно сильного условия на величину флуктуаций среднего поля благодаря некритическим взаимодействиям, а условие возникновения сегнетоэлектрического упорядочения существенно облегчается. Получено выражение для температуры сегнетоэлектрического фазового перехода, индуцированного дипольными примесями в сильнополяризуемой матрице. Показано, что косвенное диполь-дипольное взаимодействие через поперечные мягкие оптические фононы с ${{\mathbf k}=0}$ приводит к критическому сдвигу линии магнитных резонансов, но не приводит к критическому уширению. Исследован механизм влияния дипольных реориентирующихся примесей на спин-решеточную релаксацию парамагнитных центров в сильнополяризуемых матрицах. Проанализированы критические зависимости в спин-релаксации и обнаружено ее критическое ускорение. Показано, что линейное взаимодействие центров с мягкими поперечными оптическими фононами при ${{\mathbf k}\ne0}$ приводит к косвенному квадруполь-квадрупольному взаимодействию.