Гальваномагнитные явления в бикристаллах цинка

Исследовано распределение тока в образцах цинка, состоящих из двух кристаллов и находящихся в сильном магнитном поле. При ориентации границы зерен перпендикулярно направлению тока в бикристалле плотность тока увеличена в приграничной области у одной из свободных боковых поверхностей образца. В случае, когда ток течет параллельно поверхности раздела кристаллов, для некоторых границ наблюдается обогащение током слоя у границы зерен.