Модель гальваномагнитных явлений в полупроводниковом SmS при низких температурах

Приведены результаты исследования магнетосопротивления и эффекта Холла в полупроводниковом моносульфиде самария при ${1.35\leqslant T\leqslant77}$ K в постоянных магнитных полях до 30 кЭ. Предложена модель, объясняющая большое отрицательное магнетосопротивление в полупроводниковом моносульфиде самария при ${T\geqslant20}$ K рассеянием электронов проводимости на переходе ${^{7}F_{0}\to^{7}F_{1}}$ с учетом обменного усиления расщепления уровня $^{7}F_{1}$ иона Sm$^{2+}$ в магнитном поле. Положительное магнетосопротивление полупроводникового моносульфида самария при ${T\leqslant20}$ K связывается с пересечением края расщепленной в магнитном поле примесной зоны уровнем Ферми.