Интенсивность спектра фотолюминесценции и времена испускания оптических фононов в кристаллах GaAs и гетероструктурах GaAs$-$GaAlAs

Проведены измерения интенсивности и поляризации в спектре фотолюминесценции (ФЛ) из активной области гетероструктур $p$-GaAs$-$GaAlAs при комнатной, азотной и гелиевой температурах. Стравливание широкозонного слоя GaAlAs не приводит к заметным изменениям интенсивности ФЛ в горячей области, в то время как интенсивность рекомбинационной ФЛ термализованных электронов при комнатной и азотной температурах резко уменьшается за счет поверхностной рекомбинации. По деполяризации ФЛ в магнитном поле определены времена испускания продольных оптических фононов в GaAs электронами с энергией 0.11 и 0.27 эВ. Экспериментальные значения ${(1.0{-}1.2)\cdot10^{-13}}$ с сравниваются с расчетными для полярного оптического рассеяния.