Оже-механизм дислокационной экзоэмиссии

Предложен следующий механизм эмиссии электронов, наблюдаемой при пластической деформации окрашенных щелочно-галоидных кристаллов. Движущиеся дислокации захватывают электроны с $F$-центров и выносят их на поверхность. Некоторые биографические дефекты поверхности представляют собой глубокие электронные ловушки. Поэтому резонансная миграция энергии, выделяемой при захвате на них электронов, приносимых дислокациями, приводит к возбуждению других дислокационных электронов на дно зоны проводимости. Последующая термическая ионизация электронов со дна зоны проводимости вызывает появление эмиссии. Даже при сравнительно низкой плотности глубоких поверхностных ловушек (${\sim10^{8}\,\text{см}^{-2}}$) такой механизм позволяет объяснить интенсивность электронной эмиссии, ее зависимость от скорости деформации и концентрации центров окраски. Предложены эксперименты, проведение которых даст возможность проверить рассмотренный механизм.