Автолокализованные электронные возбуждения в монокристаллах $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$

Приведены результаты изучения края фундаментального поглощения, спектров возбуждения ультрафиолетового свечения и фотопроводимости монокристаллов $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$. Край поглощения для $\mathbf{E}\perp b$ подчиняется правилу Урбаха с параметрами ${\alpha_{0}=(1.7\mp0.45)\cdot10^{7}\,\text{см}^{-1}}$ ${h\nu_{0}=(5.1\mp0.013)}$ эВ и ${\sigma_{0}=0.68}$. В совершенных кристаллах наблюдаются узкие полосы возбуждения ультрафиолетовой люминесценции, максимумы которых сдвинуты на 0.15$-$0.20 эВ в сторону низких энергий от пиков фотопроводимости. Энергия активации температурного тушения свечения, которое связывается с излучательным распадом автолокализованных возбужденных состояний, соответствует энергии оптически активных фононов $(LO$ — 418 см$^{-1})$, участвующих в формировании длинноволнового края фундаментального поглощения.