Фазовый переход в соединениях группы A$_{4}$B$_{6}$: симметрия фаз и трикритическое поведение

В модели «плоских участков» вычислены зависимости критической температуры от концентрации носителей и состава твердых растворов полупроводников А$_{4}$В$_{6}$. Проанализированы симметрия возможных фаз, возникающих в результате фазового перехода, и возможность проявления трикритического поведения при изменении состава твердого раствора. Принципиальным для исследования устойчивости низкотемпературных фаз является учет потенциала ионности и конкуренция электронного и фононного ангармонизмов. Существенный электронный вклад в устойчивость решетки обусловлен в используемой модели большой плотностью состояний на краю квазиодномерных зон.