Поверхностный фотогальванический эффект в многодолинных полупроводниках

Рассчитан поперечный ток, возникающий в многодолинных полупроводниках при освещении поляризованным светом, вызываемый рассеянием электронов на поверхности в условиях, когда свет поглощается свободными носителями. Показано, что в отличие от полупроводников с изотропным спектром, в которых ток поверхностного фотогальванического эффекта (ПФГЭ) возникает только при наклонном падении света и диффузном рассеянии электронов на поверхности, в многодолинных полупроводниках с анизотропным спектром ПФГЭ возникает и при нормальном падении и зеркальном отражении электронов от поверхности. Наряду с током линейного ПФГЭ, направление которого определяется ориентацией кристалла и положением плоскости поляризации света, при определенных ориентациях кристалла должен наблюдаться и ток циркулярного ПФГЭ, направление которого зависит от знака циркулярной поляризации возбуждающего света. Проведенные количественные оценки показывают, что в условиях, когда свет отражается от поверхности, ток ПФГЭ в $n$-Ge сравним по величине с поперечным током, обусловленным увлечением электронов фотонами.