Поглощение света в поле упругих напряжений дислокаций в кремнии и арсениде галлия

Исследовано изменение спектров поглощения в области края фундаментального поглощения в кремнии и арсениде галлия при введении дислокаций в кристалл. В кристалле с дислокациями обнаружено поглощение с красной границей ${E_{g}-0.17}$ эВ в Si и ${E_{g}-0.20}$ эВ в GaAs. На основании результатов исследования свойств данного поглощения при термическом отжиге, насыщении кристаллов Si атомарным водородом сделан вывод, что данное поглощение обусловлено изменением ширины запрещенной зоны кристалла в поле упругих напряжений дислокаций. Предложена модель деформационного потенциала, позволившая описать спектральные особенности данного поглощения, его абсолютную величину как в прямозонных, так и в непрямых полупроводниках, а также объяснить поляризационные свойства.