Оптические и термические переходы в силикате висмута

Представлены результаты исследований оптических и фотоэлектрических свойств Bi$_{12}$SiO$_{20}$ в широком диапазоне температур. Показано, что соотношение энергий оптических и термических переходов равно 3.1, так что особенности, наблюдаемые в оптических измерениях в области 1$-$2 эВ, и система пиков, проявляющаяся на кривых термостимулированных токов при отрицательных температурах, принадлежат одним и тем же локальным центрам, ранее рассматривавшимся отдельно. Делается предположение о том, что эти центры могут быть обусловлены различными состояниями одной и той же примеси. Даются оценки их концентрации и степени заполнения при комнатной температуре. Определены сечения захвата фотона электронами ловушек глубиной 1$-$2 эВ, оценены условия слабого и сильного повторного захвата электронов. Приводится схема расположения уровней локальных центров в запрещенной зоне кристалла.