Экспериментальное наблюдение уменьшения холловской подвижности электронов проводимости при движении дислокаций в ZnSe

Экспериментально обнаружено, что движение уже имеющихся в кристаллах ZnSe дислокаций уменьшает холловскую подвижность и увеличивает концентрацию электронов проводимости. Описываются результаты экспериментального исследования этих явлений и обсуждается их возможный механизм. Уменьшение холловской подвижности связано, по-видимому, с возникновением значительного рассеяния электронов на кулоновском потенциале сильно заряженных и не экранированных точечными дефектами движущихся дислокациях. Увеличение концентрации электронов проводимости вызвано опустошением электронов с точечных центров в зону проводимости сильно заряженными дислокациями в процессе их движения по кристаллу.