Исследование дефектной структуры межфазной границы металл–полупроводинк в SmS методом высоковольтной электронной микроскопии

Методом высоковольтной электронной микроскопии (ускоряющее напряжение 1000 кВ) проведены исследования дефектной структуры межфазной границы металл–полупроводник в кристаллах моносульфида самария. Показано, что при фазовом переходе полупроводник–металл, происходящем в тонких поверхностных слоях образцов при механической полировке, в межфазной границе формируется характерная сетка дислокаций несоответствия.