Магнитная анизотропия ионно-имплантированного слоя феррит-гранатовых пленок

Исследуется плоскостная магнитная анизотропия феррит-гранатовых пленок (ЕuТmСа)$_{3}$ (FeGe)$_{5}$O$_{12}$, имплантированных ионами Н$^{+}_{2}$ в области доз ${1\cdot10^{15}\,\text{см}^{-2}{-}7\cdot10^{16}\,\text{см}^{-2}}$ и энергий 50$-$135 кэВ на основе анализа теоретических и экспериментальных кривых вращательного момента.
Показано, что при дозах имплантации ${\Phi\leqslant2.5\cdot10^{16}\,\text{см}^{-2}}$ поле плоскостной анизотропии H$_{k_{i}}$ пропорционально дозе. При дозах имплантации ${\Phi> 2.5\cdot10^{16}\,\text{см}^{-2}}$ поле плоскостной анизотропии уменьшается с ростом дозы за счет частичной релаксации напряжений путем образования комплексов точечных дефектов.