Дисперсия электрооптических констант в силикате висмута

Показано, что широко распространенное понятие полуволнового напряжения некорректно в случае оптически активных кристаллов. Предложена методика определения электрооптических коэффициентов таких кристаллов, которая позволяет существенно ослабить влияние объемного заряда. Получена дисперсия электрооптического коэффициента Bi$_{12}$SiO$_{20}$, которая допускает линейную аппроксимацию ${r_{41}=(5.61{-}1.51\lambda)\cdot10^{-12}}$ м/В. Отмечено, что параметр линейного двулучепреломления, которому соответствует переключение входной линейной поляризации в ортогональную, в оптически активных кристаллах имеет дисперсию.