Особенности распределения дислокаций в поверхностном слое кристаллов LiF, деформированных в контакте с внешней средой

Изучены параметры дислокационной структуры кристаллов LiF, деформированных при 4.2 K в жидком гелии и в вакууме. Контакт со средой жидкого гелия приводит к изменению дислокационной структуры в поверхностном слое кристаллов, при котором существенно меняется характер парного распределения дислокаций в винтовых и краевых полосах скольжения как по расстояниям, так и углам между ними и направлением скольжения. Обнаружено отсутствие дипольных конфигураций дислокаций с расстоянием ${< 0.1}$ мкм. Полученные данные указывают на то, что внешняя среда оказывает определяющее влияние на формирование дислокационной структуры вблизи наружной поверхности кристаллов. Ее действие объясняется на основе явления дислокационно-динамической диффузии атомов гелия в поверхностный слой кристаллов по движущимся дислокациям.