Тонкая структура спектров отражения соединений кремния в области Si$L_{2,3}$-порога ионизации

Приводится экспериментальное исследование методом отражения закономерностей формирования ближней тонкой структуры (БТС) $L_{2,3}(2p)$-спектров поглощения кремния в ряде его твердотельных соединений (SiO$_{2}$, SiO$_{x}$, Si$_{3}$N$_{4}$ и SiC). Наблюдаемые различия в БТС исследованных спектров связываются с изменениями химического состояния атома кремния в ряду SiO${{}_{2}\to{}}$SiC. Полученные, экспериментальные результаты подтверждают ранее высказанные предположения о связи запороговых полос поглощения в Si$L_{2,3}$-спектрах соединений кремния с особенностями непрерывного поглощения свободного атома кремния.