Генерационно-рекомбинационный механизм образования кластеров точечных дефектов в кристаллах

С помощью простой модели показано, что в процессе генерации-рекомбинации вакансий $V$ и лишних атомов $I$ в кристалле реализуется пространственное распределение дефектов, существенно отличающееся от равновероятного, с сильно выраженной тенденцией к коагуляции одноименных дефектов. Вычислены концентрации $V$, $I$ имеющих различное число $k$ дефектов в окружающей сфере рекомбинации (в частности, максимальна концентрация дефектов с $k$, равным предельному заполнению сферы рекомбинации одноименными дефектами), и полные концентрации $V, I$.