Резонансное рассеяние света Мандельштама–Бриллюэна тепловыми акустическими фононами в кристаллах ZnSe

Обнаружено значительное резонансное усиление интенсивности рассеяния света продольными ($LA$) и поперечными ($TA_{1}$ и $TA_{2}$) акустическими фононами (с ${{\mathbf k}=0}$) на примере кристаллов ZnSe с приближением энергии возбуждающего излучения $\hbar\omega_{i}$ к краю собственного поглощения ${E_{g}=2.67}$ эВ при ${T=295}$ K. Абсолютное сечение рассеяния света $\sigma$ при различных поляризациях падающего и рассеянного света относительно ориентированного по кристаллографическим направлениям [011], [100] и [$01\bar{1}$] образца ZnSe для $LA$-, $TA_{1}$- и $TA_{2}$-фононов измерено в диапазоне энергий $2.18{-}2.61$ эВ. Параллельно определены упругие постоянные ${C_{11}=9.00}$, ${C_{12}=5.34}$ и ${C_{44}=3.96}$ в единицах $10^{10}\,\text{Н/м}^{2}$ и получены дисперсионные кривые $p_{ij}(\hbar\omega_{i})$ для неравных нулю компонент тензора фотоупругих постоянных. Для зависимости $\sigma$ от $\hbar\omega_{i}$ в случае $TA_{1}$- и $TA_{2}$-фононов обнаружены четко выраженные глубокие минимумы при ${E\approx2.5}$ эВ, обусловленные в макроскопическом приближении особенностями частотной зависимости фотоупругих постоянных — сменой знака и взаимной компенсацией вкладов от соответствующих фотоупругих постоянных. Проведено сравнение полученных данных с микроскопической теорией, учитывающей кулоновское взаимодействие между электронами и дырками, когда промежуточными электронными состояниями являются экситонные состояния, принадлежащие как дискретным экситонным зонам, так и непрерывному спектру.