К теории биэлектронно-примесных комплексов в полупроводниках

Теоретически рассмотрен комплекс, образуемый биэлектроном с тяжелой дыркой (БДК) или с заряженным примесным центром (ВПК). Спектр состояний, для которых радиус биэлектрона существенно меньше радиуса его движения относительно примеси, состоит из уровней энергии, образующих обратную водородоподобную серию с большой постоянной Ридберга, к каждому из которых сходится прямая водородоподобная серия уровней с малым ридбергом. Вычислены относительные интенсивности линий поглощения, отвечающих фотопереходам из основного состояния двухэлектронного донора типа Не или Н$^{-}$ на уровни БПК. Полученные теоретические результаты не противоречат данным экспериментальных исследований спектров кристаллов ZnP$_{2}$.