Определение энергетических параметров точечных дефектов в кристаллах NaBr путем введения одновалентных и двухвалентных примесей

По кривым температурной зависимости проводимости кристаллов NaBr с избыточной катионной проводимостью (Cd$^{2+}$) и кристаллов, в которых примесная проводимость подавлена путем комплексообразования, определены энтальпии образования дефекта по Шоттки ($h_{s}$) и миграции катионных ($h^{+}_{m}$) и анионных ($h^{-}_{m}$) вакансий. Получено: ${h_{s}=1.78\pm0.02}$ эВ, ${h^{+}_{m}=0.79\pm0.01}$ эВ, ${h^{-}_{m}=1.25\pm0.03}$ эВ.
Проведенное независимое определение энтальпии образования дефекта по методу электролитического введения в кристалл одновалентных ионов (Сu$^{+}$) привело к тому же значению $h_{s}$.