Одномерный беспорядок в твердых растворах полупроводников и его влияние на экситонные состояния

Теоретически и экспериментально изучено влияние одномерного (структурного) беспорядка на экситонные состояния в твердых растворах полупроводников. Одномерный беспорядок возникает вследствие хаотического расположения плотноупакованных слоев по оптической оси кристалла.
Показано, что различие энергий локализации экситонов в разных точках кристалла приводит к неоднородному уширению экситонных состояний. В модели некоррелированного распределения плотноупакованных слоев получена теоретическая зависимость величины уширения от концентрации дефектов упаковки.
Проведено экспериментальное исследование уширения экситонных состояний в системе твердых растворов Zn$_{1-x}$Mg$_{x}$S, в которой в области концентраций ${0 <x < 0.12}$ наблюдается фазовый переход и содержание гексагональной фазы изменяется в пределах ${0.1\leqslant \alpha\leqslant1}$.