Влияние хаббардовского притяжения на поглощение света в неупорядоченных поляронных полупроводниках

Построена теория поглощения света неупорядоченными материалами с сильной электронно-фононной связью, в которых реализуется внутриузельное электрон-электронное притяжение вследствие косвенного взаимодействия через фононы и, как следствие этого, электронное спаривание. Показано, что несмотря на наличие трех типов оптических межузельных переходов, связанных с диссоциацией пары, спектр поглощения, как правило, содержит лишь один пик, максимум которого лежит на частоте ${2E_{p}+U+|\bar{\mu}|}$ ($E_{p}$ — поляронный сдвиг, $U$ — энергия межэлектронного притяжения, $\bar{\mu}$ — химпотенциал). Форма этого пика имеет ярко выраженный асимметричный характер с затянутым высокочастотным крылом, что является следствием наличия разброса уровней энергии.