Радиационно-индуцированная электростатическая неустойчивость на поверхности ионных кристаллов

Проведено машинное моделирование динамики ионов в приповерхностном слое некоторых щелочногалоидных кристаллов после радиационно-индуцированной перезарядки галогена ${X^{-}\to X^{+}}$. Учтены как кулоновские так и паулиевские силы взаимодействия между ионами (атомами). Показано, что такая перезарядка в двух ближайших к поверхности (100) слоях кристалла приводит к эмиссии ионов и атомов металла и галогена, причем существенную роль играет паулиевский удар. Эффективность эмиссии критически зависит от труднооценимой вероятности захвата электронов удаляемыми ионами и атомами.