Осцилляции электронной температуры в магнитном поле вырожденных $n$-InSb и $n$-InAs

В работе исследованы вольт-амперные характеристики осцилляций поперечного и продольного магнетосопротивлений Шубникова–де Гааза образцов $n$-InSb (${n=2.5\cdot10^{16}\,\text{см}^{-3}}$ и ${n=5.0\cdot10^{15}\,\text{см}^{-3}}$, $n$-InAs ($n=4.8\cdot10^{16}\,\text{см}^{-3})$ при температуре 4.2 К. Измерены температурные зависимости $\rho_{xx}(T)$ и $\rho_{gg}(T)$ и эффективная электронная температура (методом сопоставления $\rho(E)$ и $\rho(T)$, а также по затуханию амплитуды осцилляции под действием разогревающего фактора $E$). Обнаружено, что зависимость $T_{\text{э}}(E)$ имеет осциллирующий характер с магнитным полем. Получено выражение для электронной температуры с учетом квантовых осцилляции функции плотности электронных состояний $g(\varepsilon)$ и изменением фазового объема в импульсном пространстве, где эффективно взаимодействие электронов с акустическими фононами. Полученное выражение для $T_{\text{э}}(E,B)$ удовлетворительно описывает основные особенности эксперимента.
Исследована роль поля Холла в нагревании электронов. Показано, что холловское поле не дает вклада в разогрев электронов. Это следует из измерений электронной температуры в условиях закорачивания холловских контактов и в продольной ориентации электрического и магнитного полей, когда заведомо холловское поле отсутствует.
Дана интерпретация особенностям разогрева электронов вырожденного полупроводника в параллельных электрическом и магнитном полях.