Электропроводность монокристаллов кремния и германия при действии напряжений сдвига и высоких давлений

Монокристаллы Si и Ge подвергались воздействию давления до ${\sim13}$ ГПа и напряжению сдвига $\tau$ до ${\sim2}$ ГПа. При ${\tau< 0.2}$ ГПа сопротивление Si изменяется незначительно (не более чем на 25%) с увеличением $P$ до ${\sim9}$ ГПа. Сопротивление Ge в этих условиях имеет максимум при ${P\sim3.7}$ ГПа, после которого слабо падает. Увеличение $\tau$ до 1.7 ГПа с одновременным увеличением всестороннего сжатия Si приводит к более крутому уменьшению его $R$. У Ge при увеличении $\tau$ до ${\sim1}$ ГПа сопротивление изменяется незначительно с неясным максимумом. Показано, что при достижении ${\tau_{\text{кр}}\sim 1.7}$ ГПа для Si при поддерживающем сжатии ${\sim3.5}$ ГПа и ${\tau_{\text{кр}}\sim1}$ ГПа для Ge при поддерживающем сжатии ${\sim2}$ ГПа происходит скачкообразное уменьшение $R$, вызванное образованием сдвига в плоскостях \{111\}. Вероятно, скачкообразное уменьшение обусловлено образованием в плоскостях \{111\} металлической фазы при одновременном действии всестороннего сжатия и критического для данного сжатия напряжения сдвига. Величина $\tau_{\text{кр}}$ близка к напряжениям сдвига, возникающим при ударноволновом нагружении Si и Ge по [111] вблизи предела упругости Гюгонио, которое вызывает резкое падение $R$.