Об уширении линии экситонного поглощения в твердых растворах полупроводников

Рассмотрено взаимодействие экситонов с флуктуациями состава твердого раствора в случае, когда потенциал этого взаимодействия квадратично зависит от флуктуации. Показано, что уширение экситонной линии поглощения в этом случае обусловлено двухмасштабными флуктуациями состава. Получены асимптотические формулы, описывающие спад крыльев линии поглощения в длинноволновую и коротковолновую стороны. Определена зависимость ширины линии от состава и параметров твердого раствора.