Влияние предварительного оптического возбуждения ловушек на процессы переноса заряда в кристаллах Bi$_{12}$GeO$_{20}$

С помощью поперечного электрооптического эффекта обнаружено, что область пространственного заряда, возникающая в кристалле Bi$_{12}$GeO$_{20}$ при приложении напряжения, существенно определяется начальными (до приложения напряжения) условиями: спектральным составом возбуждающего света и временем последующей выдержки образца в темноте. Исследовано влияние однородного и неоднородного предварительного возбуждения образцов на процессы переноса заряда при комнатной температуре. Установлен механизм проявления начальных условий, состоящий в неравновесном заполнении уровней ловушек для электронов различной глубины: мелких, с которых происходит термический выброс электронов в зону проводимости с постоянной времени ${\tau_{\text{м}}=10}$ с, и глубоких, степень заполнения которых определяет длину дрейфа электронов.