Влияние комплексообразования на пластическую деформацию арсенида галлия

Приведены результаты измерения пределов текучести и спектров фотолюминесценции кристаллов GaAs $n$- и $p$-типа, деформированных одноосным растяжением. Показано, что в арсениде галлия $n$-типа более высоким значениям предела текучести соответствуют длинноволновые полосы излучения большей интенсивности, возрастающей за счет увеличения концентрации комплексов типа атом примеси–вакансия (Te$_{\text{As}}$V$_{\text{Ga}}$, Sn$_{\text{As}}$V$_{\text{Ga}}$ и др.). Полученные данные подтверждаются расчетами, выполненными в соответствии с моделью упрочнения кристаллов комплексами. Отмечается, что в $p$-GaAs комплексы обнаружены не были, и предел текучести его ниже, чем кристаллов с электронным типом проводимости.