Влияние давления на гальваномагнитные свойства SmB$_{6}$, Sm$_{x}$B$_{6}$

Исследовано влияние давления до 15 кбар на температурные зависимости удельного сопротивления $\rho(T)$ в интервале ${0.05\lesssim T\lesssim300}$ K у монокристаллов SmB$_{6}$ и дефектных монокристаллов Sm$_{x}$B$_{6}$ (${x\sim0.85\div0.95}$). Показано, что значение удельного сопротивления $\rho(T)$ у Sm$_{x}$Be$_{6}$ возрастает по мере уменьшения степени дефектности $x$, причем у SmB$_{6}$ сопротивление не выходит на насыщение даже при ${T\sim0.05}$ K. Показано, что относительное изменение сопротивления $\rho_{4.2\,\text{K}}$ (${p=0)/\rho_{4.2\,\text{K}}}$ (${p=15}$ кбар) под действием давления больше в монокристаллах с большей дефектностью.