Случайные деформации и форма бесфононной линии примесного центра в кристалле CaF$_{2}:$Eu$^{2+}$

Исследована форма бесфононной линии 24 213 см$^{-1}$ полосы люминесценции иона Eu$^{2+}$ в кристалле GaF$_{2}$. Причиной асимметрии линии является больцмановское распределение возбуждений по излучательным подуровням, возникающим из трехкратно вырожденного излучательного уровня симметрии $\Gamma_{8g}$ под действием случайных деформаций. Приложение к кристаллу внешнего давления по оси четвертого порядка расщепляет вырожденный уровень. При достаточной величине расщепления внутренние деформации обусловливают только сдвиги излучательных уровней различных центров, форма линии при этом становится симметричной. Показано, что асимметричная форма бесфононной линии должна наблюдаться во всех случаях, когда нижнее состояние оптического перехода вырождено или квазивырождено.