Механизм миграции индия в Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te

Методом радиоактивных индикаторов в интервале температур $300{-}450^{\circ}$С исследованы зависимости коэффициента диффузии индия от давления пара ртути и от температуры в нелегированных и легированных индием (${C_{\text{In}}=5\cdot10^{25}\,\text{м}^{-3}}$) монокристаллических образцах Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te (${x=0.2}$). Обнаружено, что в нелегированном материале имеет место диффузия с быстрой и медленной составляющими. Коэффициент быстрой диффузии увеличивается с ростом давления пара ртути; коэффициент медленной диффузии не зависит ни от давления пара ртути, ни от концентрации легирующей примеси. Сделан вывод, что наиболее вероятным механизмом быстрой диффузии является диссоциативный, а медленной — вакансионный механизм посредством нейтральных вакансионных комплексов (V$_{\text{Hg}}$V$_{\text{Te}}$)$^{*}$.