Фотостимулированные перескоки электронов между локальными электронными центрами в неметаллических кристаллах

Рассмотрен процесс перезарядки локальных электронных центров, обусловленный как прямыми (без участия фононов), так и непрямыми перескоками электронов между центрами под действием света. Вычислены вероятности элементарных актов перескока; оценочное значение коэффициента диффузии $D$ в прямом процессе составляет ${2\cdot 10^{-7}\,\text{см}^{2}/\text{с}}$ при концентрации примеси ${4\cdot10^{10}\,\text{см}^{-3}}$ и интенсивности света 10 МВт/см$^{2}$. Вероятность перескока в случае прямых переходов весьма резко убывает с расстоянием. В случае непрямых переходов зависимость вероятности от расстояния определяется сложной картиной интерференции взаимодействий возбужденного электрона с фотоном и с фононами, приводящей в благоприятных случаях к менее резкой зависимости вероятности от расстояния между дефектами.