Электронно-микроскопическое исследование микроструктуры стеклообразных полупроводников в системе Ge$-$Se

Методом электронной микроскопии обнаружено микрогетерогенное строение стекол системы Ge$-$Se. Выявлены микродомены размером 200$-$300 Å и более крупные образования величиной около 1000$-$2000 Å, которые составляют кругообразные области диаметром в несколько мкм. Показана зависимость наблюдаемой структуры от стехиометрии и термической обработки стекла.