К теории рассеяния света в кристаллах с дефектами вблизи точек фазовых переходов

Развита теория аномалий упругого рассеяния света на точечных дефектах, учитывающая вклады, пропорциональные квадрату концентрации дефектов. Существовавшая ранее теория учитывала лишь вклады, линейные по концентрации дефектов $N$. Показано, что в ряде случаев члены, пропорциональные $N^{2}$ и имеющие более сильную температурную зависимость, могут оказываться превалирующими в широком интервале температур в области применимости теории. Рассмотрены различные фазовые переходы и разные типы дефектов. Показано также, что в одноосном сегнетоэлектрике наиболее существенным может быть рассеяние на заряженных дефектах. Предпринята попытка интерпретации некоторых экспериментальных данных.