Определение параметров ловушек в высокоомных нецентросимметричных фотопроводниках методом оптического зондирования захваченного заряда

Предложен новый метод определения параметров ловушек в высокоомных электрооптических полупроводниках, основанный на изучении при различных температурах динамики формирования объемного заряда с помощью зондирования образца поляризованным светом. Дано теоретическое обоснование метода: рассмотрены основные физические процессы, протекающие в высокоомных фотопроводниках, — неравновесное заполнение ловушек, релаксация их заполнения в темноте и пространственное разделение зарядов во внешнем электрическом поле. Определены энергии ионизации трех уровней ловушек для электронов в кристалле Bi$_{15}$GeO$_{20}$ : 0.65, 0.50, 0.37 эВ.