Доменная структура в бесщелевых полупроводниках I рода вблизи точки инверсии

Показано, что основное состояние, возникающее в результате спонтанного рождения щели в бесщелевом полупроводнике I рода (БСI) в квантующем магнитном поле, двукратно вырождено. В результате наряду с однородными решениями, соответствующими нормальному и инвертированному состояниям зон, возможны неоднородные решения — солитоны. Такому солитону соответствует связанное состояние электрона в центре запрещенной зоны, что при соответствующем расположении уровня Ферми делает это состояние более выгодным энергетически, чем однородное. Так же как и в полиацетилене, можно ожидать наблюдение состояний с дробным зарядом или спином.