Влияние спин-отщепленной валентной зоны на энергию экситонов в кубических кристаллах

В рамках обоснованного ранее сведения многоэлектронной задачи об экситоне к одночастичной прямым вариационным методом численно решается задача об экситоне, происходящем от верхней валентной зоны с ${j=3/2}$ в кристаллах со структурой алмаза и цинковой обманки. Влияние спин-отщепленной зоны для кристаллов, у которых величина спин-орбитального расщепления много больше энергии связи экситона, учитывается методом теории возмущений. Выводятся аналитические выражения для соответствующих поправок. Проведено сравнение с имеющимися в литературе теоретическими и экспериментальными значениями для Ge, Si и ряда кристаллов типа А$_{2}$B$_{6}$, A$_{3}$B$_{5}$.