Спектроскопическое проявление миграции возбуждений локализованных экситонов в твердых растворах полупроводников Zn$_{x}$Cd$_{1-x}$S

На примере системы Zn$_{x}$Cd$_{1-x}$S с ${0 <x< 0.15}$ изучены процессы миграции электронных возбуждений между локализованными экситонными состояниями (ЛЭС) в твердых растворах полупроводников (ТРП) A$_{2}$B$_{6}$. При ${T=2}$ K проведено сопоставление спектров люминесценции ЛЭС и поглощения; обнаруженный стоксов сдвиг этих спектров и его зависимость от состава ТРП связываются с протяженностью хвостов плотности ЛЭС и с процессами миграции возбуждений. Рассмотрено обнаруженное авторами явление плавного коротковолнового смещения спектра люминесценции с повышением температуры, которое отождествляется с процессами спектральной миграции по неоднородному контуру ЛЭС с поглощением фононов решетки. Рассмотрен также механизм концентрационного уширения экситонных состояний в этой системе ТРП. Показано, что в области изученных концентраций ${0 <x< 0.15}$ неоднородное уширение экситонных состояний описывается моделью локализации экситона как целого случайными полями флуктуации ТРП.