Механизмы излучательной рекомбинации экситонов высокой плотности в кристаллах CdS

Проведено сравнение формы $P$-, $E$-, $L$- и $Q$-линий люминесценции CdS с результатами расчетов для процессов экситон-экситонного рассеяния, экситон-электронного рассеяния, аннигиляции равновесной электронно-дырочной жидкости (ЭДЖ), аннигиляции электронно-дырочной плазмы (учтены процессы усиления и перепоглощения). Сравнение позволило определить параметры экситонного газа высокой плотности и ЭДЖ. Исследованы спектрально-кинетические свойства генерации и оценен коэффициент усиления в CdS.