Релаксационные процессы при протекании тока в жидких кристаллах

Обнаружена и исследована возрастающая релаксация тока (ВРТ) в жидких кристаллах при наложении постоянного электрического поля. Для ЖК с различным знаком анизотропии диэлектрической проницаемости МББА, холестерилпеларгоната, цианобифенилов закономерности ВРТ являются общими и связаны с процессами переноса и накопления заряда в приэлектродных слоях.
Под действием электрического поля в ЖК происходит перераспределение заряда, вследствие чего напряженность электрического поля в приэлектродных слоях резко повышается. При достижении определенного значения внешнего поля ток в приэлектродном слое обусловливается не только внешним полем, но и полем объемного заряда. Повышение внешнего напряжения и времени его действия ведет к увеличению плотности заряда у электродов, что проявляется в ВРТ. В области напряжений, соответствующих ВРТ, наблюдается возрастающая релаксация обратного тока разрядки, обусловленная токами утечки через приэлектродные слои под действием поля объемного заряда.