Низкотемпературная плотность состояний в бесщелевом полупроводнике в окрестности уровня Ферми

Рассчитана плотность акцепторных состояний в примесной зоне бесщелевого полупроводника в окрестности уровня Ферми, где она имеет кулоновскую щель. Учитывается наличие электронного газа, экранирующего кулоновское взаимодействие на больших расстояниях, вследствие чего плотность состояний на уровне Ферми оказывается отличной от нуля. Расчет производился с помощью численного моделирования на ЭВМ, а также путем решения самосогласованного уравнения. Показано, что зависимость плотности состояний от энергии в окрестности уровня Ферми резкая, что должно приводить к резкой температурной зависимости подвижности, обусловленной резонансным рассеянием электронов на нейтральных акцепторах.