Аномальное воздействие адсорбции Al на эмиссионные свойства GaAs

Исследованы начальные стадии формирования контакта GaAs$-$Аl методами полевой электронной эмиссии. Изучены эмиссионные свойства кристаллов GaAs разного типа проводимости и удельного сопротивления с атомарночистой поверхностью и влияние на их свойства адсорбции Аl атомарной толщины. При напылении субмоноатомных покрытий Аl обнаружен аномально большой рост эмиссионной способности GaAs-кристаллов с атомарночистой поверхности, который не объясняется в рамках теории Фаулера–Нордгейма. Возрастание эмиссионной способности GaAs соответствует снижению его эффективной работы выхода до $2.3{-}2.4$ эВ. Для поверхности, покрытой собственным окислом, эффект значительно меньше. Обсуждаются возможные механизмы обнаруженного эффекта.