О механизме релаксации электрического поля в МДП структуре на основе фотопроводящего германата висмута

Предложена методика исследования релаксации электрического поля в высокоомных фотополупроводниках, основанная на сравнении кривых зарядного тока МДП структуры, измеренных при обогащающей и обедняющей полярности приложенного напряжения. Это дает возможность обнаружить возникновение истощенного слоя и проверить также омичность контакта к полупроводнику. Определение временной постоянной спада тока позволяет найти электропроводность полупроводника. Проведенные измерения показали отсутствие истощенного слоя и позволили определить удельную проводимость германата висмута как функцию интенсивности света.