Подвижность ионов фтора в кристалле KY$_{3}$F$_{10}$ по данным ЯМР и электропроводности

Импульсным методом ЯМР на ядрах ${}^{19}$F и кондуктометрическим методом исследована подвижность ионов фтора F$^{-}$ в области температур $290{-}1100$ K в кристалле KY$_{3}$F$_{10}$ с примесью Gd$^{3+}$ (${C=0.007}$, 0.025, 0.1%). При ${T>600}$ K обнаружены: 1)  анизотропное, зависящее от направления магнитного поля в кристалле, сужение линии ЯМР; 2)  изотропное и не зависящее от частоты увеличение скорости ядерной спин-решеточной релаксации (СPP), пропорциональное концентрации $C$ ионов Gd$^{3+}$; 3)  резкое увеличение электропроводности: ${\sigma(1000\,\text{K})=5.64\cdot10^{-3}\,(\text{Ом}\cdot\text{см})^{-1}}$. Показано, что эти эффекты обусловлены высокой подвижностью ионов F$^{-}$ в исследованных кристаллах. Установлена динамическая неэквивалентность ионов F$^{-}$, принадлежащих двум структурным мотивам в KY$_{3}$F$_{10}$. Определены времена корреляции и энтальпия активации диффузионного движения ионов фтора.