Поляризация люминесценции и оптическая ориентация дырок в PbTe в стимулированном режиме

В кристаллах $n$-РbТе исследована зависимость степени циркулярной поляризации и интегральной интенсивности люминесценции от мощности накачки при двухфотонном возбуждении циркулярно-поляризованным светом СO$_{2}$-лазера.
В рамках двухуровневой модели, учитывающей спины носителей заряда и фотонов, показано, что наблюдающиеся в режиме устойчивой генерации высокие степени циркулярной поляризации рекомбинационного излучения связаны с индуцированными процессами перекачки спина из системы носителей заряда в систему фотонов. Установлено, что поляризация люминесценции вызвана оптической ориентацией дырок, определена концентрация и электронная температура возбужденных носителей заряда. Оценено время спиновой релаксации дырок и начальное значение их среднего спина на генерационных уровнях. Обсуждается возможный механизм спиновой релаксации.