О стратификации объемного заряда при переходных процессах в полупроводниках

Предложена линейная теория стратификации объемного заряда при экранировании электрического поля в полупроводниках. С учетом диффузионного тока показано, что в случае, когда время жизни носителей заряда в зоне проводимости много больше максвелловского, это явление может сопровождаться новым эффектом — появлением в образце слоев, поле в которых направлено против приложенного. Обсуждается физическая причина явления стратификации и условия его существования. Стратификация объемного заряда возможна при переходных процессах в полупроводниках, имеющих неомические контакты при условии достаточно слабой зависимости темпа генерации носителей заряда в зону проводимости и их времени жизни от величины плотности заряда, связанного на примесных центрах.