Резонансное взаимодействие и плотность состояний валентных колебаний тетраэдров SiO$_{4}$ в кристалле Bi$_{12}$SiO$_{20}$

Измерены спектры КРС кристалла Bi$_{12}$SiO$_{20}$ (BSO) в области $\omega_{3}$ и ИК поглощения в области ${\omega_{1}\pm\omega_{3}}$ частот, где $\omega_{1}$ и $\omega_{3}$ — полносимметричное и трижды вырожденное валентное колебание тетраэдра SiO$_{4}$. По спектрам двухфононного поглощения определена константа ангармонического взаимодействия колебаний $\omega_{1}$ и $\omega_{3}$ и восстановлена плотность однофононных состояний колебания $\omega_{3}$. Сопоставление «экспериментальной» и расчетной плотностей состояний показывает, что взаимодействие валентных колебаний тетраэдров SiO$_{4}$ удовлетворительно описывается в простейшем диполь-дипольном приближении.