Форма линии комбинированного резонанса на дислокациях в полупроводниках

Уравнения переноса для элементов матрицы плотности электрона в одномерной дислокационной зоне используются для исследования формы линии комбинированного резонанса. Рассмотрены случаи, когда дислокация содержит проводящие сегменты большой или малой длины $L$. Показано, что для больших $L$ и низкой частоты переменного поля (${\omega\tau\ll1}$) линия поглощения имеет вид антирезонанса, а при уменьшении $L$ форма линии деформируется и кривая поглощения становится похожей на кривую дисперсии для обычного ЭПР. Качественное согласие с данными эксперимента на деформированном кремнии свидетельствует в пользу существования одномерных дислокационных зон.