Роль гофрировки изоэнергетических поверхностей валентной зоны в оптических переходах «зона$-$примесь»

Рассмотрено влияние гофрировки изоэнергетических поверхностей валентной зоны полупроводниковых кристаллов на частотную зависимость оптических переходов «примесь–зона». Показано, что при увеличении степени гофрировки, частотная зависимость сечений для переходов с участием тяжелых дырок становится более резкой, в то время как сечения процессов для легких дырок становятся более плавными. Аналитически и численно найдены зависимости сечений переходов «валентная зона–донор» от частоты поглощаемых квантов при различных степенях гофрировки.