Воронежский государственный университет им. Ленинского комсомола
Аннотация:
Исследовались временные зависимости диэлектрической проницаемости и статического пироэлектрического коэффициента кристаллов ТГС, содержащих примеси (10 вес.% $L$, $\alpha$-аланина в растворе) и радиационные дефекты. Доменная структура кристаллов выводилась из состояния равновесия путем приложения постоянного электрического поля. Показано, что с увеличением внутреннего поля абсолютные значения времени релаксации уменьшаются с одновременным сужением температурной области перестройки доменной структуры кристаллов.